IXSH40N60B 时间：2025/8/6 12:06:56 阅读：40

IXSH40N60B 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高电流应用而设计，具有出色的导通性能和热稳定性。IXSH40N60B 通常用于开关电源、电机控制、逆变器和 DC-DC 转换器等电力电子应用中。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通电阻和开关损耗之间实现了良好的平衡。

参数

漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：40A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值 0.115Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：200W

特性

IXSH40N60B 的最大漏源电压为 600V，使其适用于中高压应用。该器件的栅源电压范围为 ±20V，确保了在不同驱动条件下的稳定性。
　　该 MOSFET 的连续漏极电流能力为 40A，使其能够承受较大的负载电流。其导通电阻（Rds(on)）典型值为 0.115Ω，有效降低了导通损耗，提高了整体效率。
　　IXSH40N60B 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表现出良好的热稳定性和宽温适应能力。其最大功率耗散为 200W，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件采用 TO-247 封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，适用于各种工业和汽车电子应用。其结构设计减少了开关损耗，提高了开关速度，从而提高了整体系统的能效。
　　此外，IXSH40N60B 还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和安全性。

应用

IXSH40N60B 主要应用于电力电子领域，包括开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）、DC-DC 转换器、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。
　　在开关电源中，IXSH40N60B 用于高频开关操作，能够有效提高转换效率并减小电源体积。在电机驱动系统中，该器件可作为主开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。
　　在逆变器和 UPS 系统中，IXSH40N60B 可用于将直流电转换为交流电，为敏感电子设备提供稳定可靠的交流电源。在太阳能逆变器中，该 MOSFET 用于将光伏板产生的直流电转换为可供电网使用的交流电。
　　由于其良好的热稳定性和高电流承载能力，IXSH40N60B 也适用于需要频繁开关操作和高可靠性要求的工业控制系统，如变频器和自动化设备。