型号：K4N51163QE-HC20
　　制造商：Samsung
　　器件类型：DDR2 SDRAM
　　存储容量：512 Mbit
　　组织结构：32M x 16
　　工作电压：1.8V ± 0.1V
　　数据速率：400 Mbps (DDR2-400)
　　时钟频率：200 MHz
　　访问时间：最大20ns
　　封装类型：BGA
　　引脚数：90-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　输入/输出逻辑：LVTTL
　　带宽：6.4 GB/s（x16配置下）
　　行列地址位数：A0-A12, BA0-BA2

K4N51163QE-HC20具备多项关键特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，该芯片采用双倍数据率（DDR）技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而实现两倍于传统SDRAM的数据吞吐能力。结合其200MHz的工作时钟，等效数据速率达到400Mbps，满足对高带宽内存访问的需求。其次，该器件支持多种省电模式，包括待机模式、预充电待机模式、自动刷新和自刷新模式。在自刷新模式下，内部计数器可自主管理刷新操作，无需外部控制器干预，显著降低系统功耗，特别适用于对能耗敏感的应用场景。
　　此外，K4N51163QE-HC20具备优异的信号完整性设计，使用LVTTL（低压晶体管-晶体管逻辑）作为输入输出接口标准，能够在1.8V电源下提供稳定的逻辑电平切换，减少噪声干扰并提升抗扰度。其BGA封装不仅提供了紧凑的物理尺寸，还通过均匀分布的焊球增强了热传导和机械稳定性，有助于在高温或振动环境中维持可靠运行。该芯片还集成了片上终端电阻（ODT），可在读写过程中动态启用，有效抑制信号反射，提高总线稳定性，尤其在多负载或多模块系统中表现突出。
　　从系统集成角度看，K4N51163QE-HC20支持标准的突发长度配置（如BL=4或BL=8），并可通过模式寄存器编程设置不同的操作参数，包括突发类型、CAS延迟（CL=3或CL=4）等，增强了系统的灵活性与兼容性。其内部存储阵列被划分为四个独立的Bank，允许交错访问不同Bank以提高并发处理能力，减少等待时间，优化整体性能。最后，该器件通过了严格的工业级测试，具备良好的长期可靠性，适合部署在要求高稳定性的嵌入式系统中。

K4N51163QE-HC20广泛应用于需要中等容量、高性能DDR2内存的各种电子系统中。典型应用包括网络通信设备，如路由器、交换机和基站控制器，这些设备依赖快速的数据包缓冲和路由表存储，而该芯片提供的高带宽和低延迟特性正好满足需求。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制器中，为实时控制任务提供可靠的内存支持。此外，该芯片也常见于医疗成像设备、测试测量仪器和视频监控系统中，用于图像帧缓存和数据采集处理。
　　由于其1.8V低电压特性和节能模式，K4N51163QE-HC20也被用于部分便携式工业终端和嵌入式单板计算机中，尤其是在需要平衡性能与功耗的设计中。在消费电子方面，虽然主流市场已转向DDR3及更高版本，但在一些老旧或专用设备（如POS机、数字标牌控制器）中仍能看到其身影。另外，由于其引脚定义和时序符合JEDEC标准，便于替换和升级，因此在系统维护和备件更换中也具有一定价值。

K4T51163QC-HC20
　　K4T51163QE-HC20
　　MT47H64M16HR-20:H