时间：2025/8/4 10:28:56
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TML 20112 是一款由 Texas Memory Systems（现为 IBM 子公司）开发的高性能存储控制器芯片，主要用于固态存储设备（SSD）和企业级存储系统中。该芯片集成了先进的存储管理功能，支持高速数据传输和低延迟存储访问，适用于需要高可靠性和高性能存储解决方案的应用场景。
制造商：Texas Memory Systems (IBM)
产品类型：存储控制器
接口类型：PCIe Gen3 x8
最大存储容量：支持多TB级存储
数据传输速率：高达6GB/s
闪存类型支持：NAND Flash, SLC, MLC
缓存支持：支持大容量缓存管理
电源电压：3.3V 和 1.5V
工作温度范围：0°C 至 70°C
封装类型：FCBGA
TML 20112 芯片具备多项先进的存储控制功能，包括支持PCIe Gen3接口，提供高达6GB/s的数据传输速率，确保高速存储访问。该芯片内置高效的闪存管理算法，能够优化NAND闪存的寿命和性能，支持SLC和MLC NAND闪存类型，适应不同存储需求。
此外，TML 20112 支持高级错误校正和数据保护机制，如端到端数据路径保护（End-to-End Data Path Protection）和RAID功能，确保数据的完整性和可靠性。其缓存管理功能可以有效提升存储系统的响应速度，适用于高性能计算和企业级存储系统。
该芯片还具备低功耗设计，支持多种节能模式，适合用于数据中心和企业级存储设备，提供高效、稳定和安全的存储解决方案。
TML 20112 主要应用于企业级固态硬盘（SSD）、高性能存储系统、数据中心存储设备、数据库服务器、虚拟化存储平台以及需要高速数据访问和高可靠性的存储解决方案。其高性能和高可靠性使其成为金融、电信、云计算等关键业务领域的理想选择。
LSI SAS3008, Broadcom SAS 9405-8i, Intel C610 Series PCH
