PTZ6.8B 时间：2025/12/25 11:27:13 阅读：15

PTZ6.8B是一款齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和稳压应用。该器件属于表面贴装型（SOD-323封装），具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点，适用于各类便携式电子设备和高密度电路板设计中。其标称齐纳电压为6.8V，在额定工作电流下可提供稳定的基准电压输出，广泛应用于电源管理、信号调理以及过压保护等场景。PTZ6.8B由多家半导体制造商生产或兼容生产，通常符合RoHS环保标准，具备良好的温度稳定性和长期可靠性。
　　该器件的工作原理基于反向击穿特性，当施加的反向电压达到其齐纳电压（即6.8V）时，二极管进入导通状态，并维持一个相对恒定的电压降，从而实现稳压功能。与普通整流二极管不同，齐纳二极管被专门设计用于在反向偏置条件下稳定工作，且能承受一定的功耗（一般在200mW左右）。PTZ6.8B的动态阻抗较低，有助于减小负载变化对输出电压的影响，提高系统的稳定性。此外，该型号还具备较快的瞬态响应能力，适合用于抑制电压波动和噪声干扰。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装/包装：SOD-323
　　齐纳电压Vz：6.8V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　测试电流Iz：5mA
　　最大反向漏电流：1μA @ 1V
　　动态阻抗Zzt：≤20Ω @ 5mA

特性

PTZ6.8B齐纳二极管的核心特性之一是其精确而稳定的电压参考能力。在标准测试条件（Iz = 5mA）下，其标称齐纳电压为6.8V，允许偏差为±5%，这意味着实际电压范围在6.46V至7.14V之间，能够满足大多数中等精度稳压需求。该器件采用先进的扩散工艺制造，确保了电压的一致性和批次间的可重复性。其低动态阻抗（通常不超过20Ω）意味着在负载电流发生变化时，输出电压波动较小，提升了整个电源系统的稳定性。这对于需要高稳定性的模拟电路、ADC参考源或传感器供电尤为关键。
　　另一个重要特性是其优异的温度系数表现。PTZ6.8B在典型工作温度范围内（-55°C到+150°C）具有较为平坦的电压-温度曲线，尤其在6.8V附近，硅基齐纳二极管的温度系数接近零，这使得它在宽温环境下仍能保持良好的电压稳定性。相比更低或更高电压的齐纳管，6.8V是一个“拐点”电压，此时器件的正负温度效应趋于平衡，显著降低了因温度变化引起的漂移误差。
　　PTZ6.8B采用SOD-323小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约1.7mm x 1.25mm x 0.95mm），非常适合空间受限的应用，如智能手机、可穿戴设备、物联网模块等。该封装具有良好的热传导性能和焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊工艺，便于自动化生产。同时，器件的最大功耗为200mW，在合理散热条件下可长时间稳定运行。反向漏电流极低（典型值1μA @ 1V），在未达到击穿电压前几乎不导通，保证了电路在待机或低功耗模式下的能效表现。

应用

PTZ6.8B广泛应用于各类需要稳定电压参考的电子系统中。最常见的用途是在低压直流电源电路中作为并联稳压器使用，例如配合限流电阻为微控制器、运算放大器或其他敏感元件提供干净的参考电压。由于其6.8V的齐纳电压适合作为某些逻辑电平转换或接口保护的阈值点，因此也常用于信号线路的过压钳位保护，防止瞬态电压冲击损坏后级电路。
　　在电池供电设备中，PTZ6.8B可用于监测电源电压或构建简单的电压比较电路，实现欠压报警或自动关机功能。在模拟前端设计中，它可以作为ADC或DAC的外部基准源，提升数据转换的准确性。此外，在工业控制、消费电子、通信模块和汽车电子等领域，该器件也被用于电源监控、偏置电压生成以及噪声滤除等功能。
　　由于其小型化封装和高可靠性，PTZ6.8B特别适用于高密度PCB布局和自动化贴片生产线，常见于智能手机、平板电脑、无线耳机、智能家居控制器等产品中。在测试测量仪器中，该器件还可用于校准电路中的电压基准单元，确保设备长期使用的精度一致性。