时间：2025/8/13 4:59:51
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LNZ9F2V7ST5G是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、高性能的电源管理应用设计，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(ON))：2.7mΩ @ VGS=10V
栅极-源极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerT66
LNZ9F2V7ST5G的主要特点包括其低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统的能效。该器件的高开关速度使其适用于高频开关电路，从而减小了外围电感和电容的尺寸，提高了整体设计的紧凑性。
此外，该MOSFET具备高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性和耐用性。其坚固的结构设计和优良的热性能，使其在高温环境下依然能够稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同的控制电路中灵活使用。此外，其符合RoHS环保标准，适合现代电子产品对环保的高要求。
LNZ9F2V7ST5G广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、负载开关以及电池供电设备等。在汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中也具有广泛的适用性。
NDS351AN, FDS6612A, Si4410DY
