时间：2025/6/24 3:30:34
阅读：5
TMK325B7106KMGTR是一款高性能的功率MOSFET器件，采用TO-263封装形式。该芯片专为高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用设计。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
这款功率MOSFET在汽车电子和工业控制领域中具有广泛的应用前景，能够满足对可靠性和效率有较高要求的场景需求。
型号：TMK325B7106KMGTR
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：75A
Qg（栅极电荷）：80nC
fSW（最大开关频率）：500kHz
封装：TO-263
1. 极低的导通电阻RDS(on)，能够显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达75A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 快速开关特性，支持高达500kHz的工作频率，适合高频开关电路。
4. 优化的热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 提供优异的抗雪崩能力和短路保护功能，增强了器件的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 汽车电子系统中的电机驱动
4. 工业控制设备
5. 电池管理系统（BMS）
6. LED驱动器
7. 其他需要高效功率管理的应用场景
IRF7739PBF
STP75NF06L
FDP75N06A
