晶体管类型：NPN 双极型晶体管（双管阵列）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：最大100 mA
　　功率耗散（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值，典型值）

LBAS20H1G具有多个显著的电气和物理特性，使其在多种电子设计中表现出色。首先，该器件采用双晶体管阵列结构，两个NPN晶体管彼此独立，可在同一封装内实现多个功能，例如差分放大器、推挽输出级或双路开关电路，从而节省PCB空间并简化设计复杂度。
　　其次，LBAS20H1G的高增益特性（hFE最小为110）使其在低电压、低电流条件下仍能提供良好的放大性能，适用于前置放大器、音频放大器和信号调理电路。此外，其增益带宽积（fT）高达100 MHz，支持高频应用，如射频信号放大和高速开关控制。
　　该器件的SOT-23-6封装具有良好的热稳定性和机械强度，适合自动化贴片生产。其最大集电极电流为100 mA，功耗为300 mW，适用于低功耗设计，如便携式设备、电池供电系统和嵌入式控制系统。
　　另外，LBAS20H1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应广泛的工业环境，包括高温和低温应用场景。这使其成为工业控制、汽车电子、消费类电子产品和通信设备中的理想选择。

LBAS20H1G由于其高增益、低功耗和紧凑封装，广泛应用于各种电子系统中。常见的应用包括模拟信号放大、逻辑电平转换、开关电路、驱动LED或继电器、以及构建差分放大器或达林顿对管结构。
　　在音频放大电路中，LBAS20H1G可用于前置放大器或功率放大级，提供良好的信号增益和频率响应。在数字电路中，该器件可作为开关晶体管，用于控制负载（如LED、继电器或小型电机）的导通与关断。
　　此外，LBAS20H1G也常用于传感器接口电路中，作为信号放大或缓冲器，提高信号的稳定性和抗干扰能力。在汽车电子系统中，它可以用于车身控制模块（BCM）中的开关和驱动电路，如车灯控制、风扇驱动等。
　　由于其高频特性，LBAS20H1G还可用于射频前端电路中的低噪声放大器（LNA）或振荡器电路，适用于无线通信模块和物联网（IoT）设备。

MMBT2222A, 2N3904, BC547, 2N2222A