LMBD2836LT1G 时间：2025/7/8 8:46:02 阅读：15

LMBD2836LT1G 是一款表面贴装封装的双路肖特基二极管。该器件采用小型化的 DFN (Dual Flat No-lead) 封装形式，具有低正向电压降和快速开关特性，适合在高效能、高频电路中使用。其主要应用包括便携式电子设备中的保护电路、续流二极管以及效率要求高的场合。
　　肖特基二极管因其独特的物理结构，能够以更低的功耗实现更快的导通和关断，非常适合电源管理模块、反向电池保护及数据通信接口等场景。

参数

额定电流：2A
　　最大正向电压：0.3V
　　反向恢复时间：小于40ns
　　最大反向工作电压：30V
　　结电容：约5pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：DFN2020-8
　　热阻（结到环境）：约120°C/W

特性

LMBD2836LT1G 具有以下关键特性：
　　1. 超低正向压降设计，可显著减少功率损耗，提升系统效率。
　　2. 极快的开关速度，反向恢复时间非常短，适用于高频电路。
　　3. 小型化无引脚封装，节省PCB空间，满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
　　4. 高浪涌电流能力，增强在恶劣条件下的耐用性。
　　5. 优秀的热性能表现，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。

应用

LMBD2836LT1G 主要应用于以下领域：
　　1. 手机充电器和适配器中的同步整流电路。
　　2. 反向电池保护电路。
　　3. 数据通信接口的瞬态电压抑制。
　　4. 便携式消费类电子产品中的电源管理模块。
　　5. 高效DC/DC转换器的续流路径。
　　6. 多种工业控制与汽车电子系统的辅助电路部分。