LMBD2836LT1G 是一款表面贴装封装的双路肖特基二极管。该器件采用小型化的 DFN (Dual Flat No-lead) 封装形式,具有低正向电压降和快速开关特性,适合在高效能、高频电路中使用。其主要应用包括便携式电子设备中的保护电路、续流二极管以及效率要求高的场合。
肖特基二极管因其独特的物理结构,能够以更低的功耗实现更快的导通和关断,非常适合电源管理模块、反向电池保护及数据通信接口等场景。
额定电流:2A
最大正向电压:0.3V
反向恢复时间:小于40ns
最大反向工作电压:30V
结电容:约5pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:DFN2020-8
热阻(结到环境):约120°C/W
LMBD2836LT1G 具有以下关键特性:
1. 超低正向压降设计,可显著减少功率损耗,提升系统效率。
2. 极快的开关速度,反向恢复时间非常短,适用于高频电路。
3. 小型化无引脚封装,节省PCB空间,满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
4. 高浪涌电流能力,增强在恶劣条件下的耐用性。
5. 优秀的热性能表现,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
LMBD2836LT1G 主要应用于以下领域:
1. 手机充电器和适配器中的同步整流电路。
2. 反向电池保护电路。
3. 数据通信接口的瞬态电压抑制。
4. 便携式消费类电子产品中的电源管理模块。
5. 高效DC/DC转换器的续流路径。
6. 多种工业控制与汽车电子系统的辅助电路部分。
LMBD2836ET1G, LMBD2836CT1G