时间：2025/5/27 15:07:32
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FN21N221J500PAG是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为PAG（塑封表面贴装），适合自动化生产环境。
该MOSFET的主要特点是能够在高频条件下提供高效的功率转换，并且在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中得到了广泛应用。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：4A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：65nC
总电容：38pF
工作温度范围：-55℃至175℃
FN21N221J500PAG具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达500V的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，能够减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷设计，适合高频操作。
4. 良好的热稳定性，在极端温度范围内仍能保持可靠运行。
5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料使用。
该型号的MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 汽车电子系统，如电机驱动和照明控制。
4. 工业设备中的负载开关和保护电路。
5. 消费类电子产品中的适配器和充电器设计。
6. 各种逆变器和变频器产品。
IRF540N
STP16NF50
FDP120N50S
IXYS IXTH12N50P
