PACDN1404C 时间：2025/5/24 12:14:13 阅读：8

PACDN1404C是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率转换芯片，主要用于提高电源系统的功率密度和能效。该器件采用先进的封装技术，具备高开关频率、低导通电阻和出色的热性能。其典型应用场景包括快充适配器、数据中心电源、工业电源和通信电源等。这款芯片通过集成驱动电路和保护功能，简化了系统设计并提升了可靠性。
　　由于其基于GaN材料，PACDN1404C能够实现比传统硅基器件更高的工作效率和更小的体积，从而满足现代电子设备对紧凑型高效电源的需求。

参数

额定电压：650V
　　最大电流：4A
　　导通电阻：140mΩ
　　开关频率：2MHz
　　封装形式：DFN5x6
　　工作温度范围：-40℃至+125℃
　　栅极电荷：30nC
　　反向恢复时间：无（因GaN特性）

特性

PACDN1404C的主要特点是利用了氮化镓技术，与传统MOSFET相比，它具有更低的寄生电容和导通电阻，可显著减少开关损耗。此外，该芯片支持高达2MHz的开关频率，使得设计人员可以使用更小尺寸的磁性元件和滤波电容，从而降低整体解决方案的体积和成本。
　　它还内置了多种保护功能，例如过温保护、过流保护以及欠压锁定，确保在各种运行条件下都能保持稳定性和安全性。
　　GaN晶体管固有的快速开关能力使其特别适合需要高频工作的应用场合，例如USB-PD充电器或DC-DC转换器。同时，它的低反向恢复电荷也减少了能量损失，进一步优化了能效表现。

应用

PACDN1404C适用于以下领域：
　　1. USB Type-C/PD快充适配器
　　2. 数据中心服务器电源
　　3. 工业自动化设备中的AC-DC和DC-DC转换模块
　　4. 消费类电子产品的小型化电源设计
　　5. 通信基站供电单元
　　6. 笔记本电脑和其他便携式设备的高效电源解决方案
　　7. LED照明驱动电路
　　凭借其卓越的性能和灵活性，该芯片已成为现代高效电源设计的理想选择。