时间：2025/6/29 12:37:23
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TMK212SD682KD-T是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和DC-DC转换等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足高效能和高可靠性应用的需求。
这款功率MOSFET特别适合于需要高频开关和低损耗的应用场景，例如适配器、充电器以及工业控制设备中的功率转换电路。
类型>封装形式：TO-263
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：40A
导通电阻Rds(on)：4.5mΩ
栅极电荷Qg：39nC
开关时间：ton=17ns, toff=23ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TMK212SD682KD-T具有非常低的导通电阻（4.5mΩ），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其快速的开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频应用，同时优化了动态性能。
此外，该器件采用TO-263封装，提供良好的散热性能，能够在较高的结温下稳定工作。其额定漏极电流高达40A，结合60V的漏源击穿电压，使其成为高功率密度设计的理想选择。
在可靠性和耐用性方面，该器件支持-55℃至+175℃的工作温度范围，并且经过严格的质量测试，确保在严苛环境下的长期稳定性。
该功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 电池管理系统(BMS)
- 工业自动化设备
- 消费类电子产品中的电源管理模块
由于其优异的电气特性和热性能，TMK212SD682KD-T特别适合对效率和散热要求较高的应用场合。
IRF640N
STP55NF06L
FDP55N06L
