时间：2025/8/6 12:30:10
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IXFN280N07是一种N沟道功率MOSFET，由IXYS公司制造。该器件专为高电流、高频应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种开关电源系统。该MOSFET采用先进的平面技术，具有低导通电阻和优异的热性能，能够高效处理大电流负载。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：70V
漏极电流（Id）：280A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大）
栅极电荷（Qg）：140nC（典型）
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
IXFN280N07具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有高电流处理能力，能够承受高达280A的漏极电流，适合高功率密度设计。此外，该MOSFET采用D2PAK表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于自动化装配工艺。其高可靠性和宽工作温度范围确保在严苛环境下稳定运行。最后，该器件具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频操作场景。
IXFN280N07的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路设计。同时，其内置的体二极管提供了反向电流保护，增强了系统的鲁棒性。该MOSFET还具有优异的抗雪崩能力和过载保护功能，适用于电机控制和工业电源等高要求应用。
IXFN280N07广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：
? DC-DC转换器：用于电信电源、服务器电源和工业设备电源系统
? 电机控制：用于电动工具、工业自动化设备和电动汽车驱动系统
? 电池管理系统：用于储能系统和电动车电池组管理
? 开关电源（SMPS）：用于电源适配器、UPS系统和电源模块
? 热插拔电路：用于服务器和网络设备中的电源管理
IRF280B10SPBF、FDP280N07、IXFN260N075、IXFN240N075
