电容值：2.9pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：25V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0201（0603公制）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　电极结构：Ni/Sn阻挡层
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　ESR：极低
　　Q值：高
　　频率特性：优异
　　寿命稳定性：高

TMK021CG2R9BK-W所采用的C0G（也称NP0）介质材料是目前最稳定的陶瓷电介质之一，具有几乎不随温度、电压和时间变化的电容特性。其温度系数为0 ±30ppm/°C，在整个工作温度范围内电容值的变化极小，确保了电路参数的高度一致性，特别适用于对精度要求极高的振荡电路、滤波器和谐振电路中。该电容器的容差控制在±0.1pF，意味着其实际电容值与标称值之间的偏差非常小，这种高精度特性使其成为射频匹配网络、天线调谐电路以及高频放大器偏置电路中的理想选择。
　　由于C0G材料本身是非铁电性的，因此不会出现像X7R或Y5V类电介质那样的直流偏压效应（即施加电压后电容值下降的现象），从而保证了在不同工作电压下的电气性能稳定性。同时，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和高的品质因数（Q值），能够在高频下保持优异的能量传输效率，减少发热损耗，提升系统整体效能。这对于GHz级别的无线通信应用尤为重要，例如Wi-Fi、蓝牙、5G射频前端模块等。
　　在可靠性方面，TMK021CG2R9BK-W经过严格的质量控制和老化测试，具备出色的抗湿性、耐热循环能力和机械强度。其Ni/Sn电极设计不仅增强了焊点的牢固性，还有效防止了银离子迁移问题，提高了长期使用的安全性。此外，该器件的小型化封装使其在高密度PCB布局中占用空间极少，有助于实现终端产品的轻薄化设计。综合来看，这款电容器结合了高精度、高稳定性与高可靠性的优势，是高端模拟和射频电路中不可或缺的关键元件。

主要用于高频射频电路中的阻抗匹配、滤波和耦合，常见于智能手机、平板电脑、无线模块（如Wi-Fi、Bluetooth、Zigbee）、5G射频前端组件、GPS接收器、射频识别（RFID）系统以及微型传感器模块中。也广泛用于高精度振荡器电路（如SAW/BAW滤波器周边）、低噪声放大器（LNA）输入输出端的去耦、高速数字信号的旁路处理，以及需要长期稳定运行的工业控制和医疗电子设备。其稳定的C0G特性使其适用于对温度漂移敏感的模拟信号链路，如ADC/DAC参考电压旁路、精密放大器偏置网络等场景。此外，由于其优异的高频响应和低损耗特性，该电容常被用于微波频段的通信基础设施设备中，包括基站射频单元和毫米波雷达模块。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器信号调理电路等要求高可靠性的场合。

GRM0335C1H2R9BA01D
　　CC0201-029J-A
　　GCM0335C1H2R9BA01D