您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CSD18532NQ5B

CSD18532NQ5B 发布时间 时间:2025/5/6 20:48:09 查看 阅读:11

CSD18532NQ5B 是一款由德州仪器 (TI) 推出的 NexFET 功率 MOSFET,采用 5x6 mm SON 封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计,广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载点 (POL) 转换等场景。
  这款功率 MOSFET 具有极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗,从而提升系统整体效率。此外,其快速开关特性使其适用于高频工作环境。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:74A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷(典型值):49nC
  反向恢复电荷:无
  工作结温范围:-55°C 至 175°C

特性

CSD18532NQ5B 提供了极低的导通电阻和栅极电荷,能够在高频条件下实现高效的开关操作。
  它采用了先进的半导体工艺制造,具备出色的热性能和电气性能。
  该器件还具有坚固的封装结构,能够承受较高的电流密度,并支持表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产和组装。
  由于其耐高温特性,该器件适合在恶劣环境下使用,例如工业电源或汽车电子领域。

应用

CSD18532NQ5B 广泛用于各种高效能电力转换场景,包括但不限于以下应用:
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 同步整流电路
  - 电机驱动器
  - 工业自动化控制
  - 通信电源
  - 汽车电子系统中的负载切换

替代型号

CSD18533Q5B
  CSD18534Q5B
  CSD18535Q5B

CSD18532NQ5B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CSD18532NQ5B资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CSD18532NQ5B参数

  • 现有数量2,496现货10,000Factory
  • 价格1 : ¥19.72000剪切带(CT)2,500 : ¥9.53988卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A(Ta),100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.4 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)64 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5340 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-VSON-CLIP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN