时间：2025/5/6 20:48:09
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CSD18532NQ5B 是一款由德州仪器 (TI) 推出的 NexFET 功率 MOSFET，采用 5x6 mm SON 封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载点 (POL) 转换等场景。
这款功率 MOSFET 具有极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，从而提升系统整体效率。此外，其快速开关特性使其适用于高频工作环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：74A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：49nC
反向恢复电荷：无
工作结温范围：-55°C 至 175°C
CSD18532NQ5B 提供了极低的导通电阻和栅极电荷，能够在高频条件下实现高效的开关操作。
它采用了先进的半导体工艺制造，具备出色的热性能和电气性能。
该器件还具有坚固的封装结构，能够承受较高的电流密度，并支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产和组装。
由于其耐高温特性，该器件适合在恶劣环境下使用，例如工业电源或汽车电子领域。
CSD18532NQ5B 广泛用于各种高效能电力转换场景，包括但不限于以下应用：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 同步整流电路
- 电机驱动器
- 工业自动化控制
- 通信电源
- 汽车电子系统中的负载切换
CSD18533Q5B
CSD18534Q5B
CSD18535Q5B
