CSD18532NQ5B 是一款由德州仪器 (TI) 推出的 NexFET 功率 MOSFET,采用 5x6 mm SON 封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计,广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载点 (POL) 转换等场景。
这款功率 MOSFET 具有极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗,从而提升系统整体效率。此外,其快速开关特性使其适用于高频工作环境。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:74A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷(典型值):49nC
反向恢复电荷:无
工作结温范围:-55°C 至 175°C
CSD18532NQ5B 提供了极低的导通电阻和栅极电荷,能够在高频条件下实现高效的开关操作。
它采用了先进的半导体工艺制造,具备出色的热性能和电气性能。
该器件还具有坚固的封装结构,能够承受较高的电流密度,并支持表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产和组装。
由于其耐高温特性,该器件适合在恶劣环境下使用,例如工业电源或汽车电子领域。
CSD18532NQ5B 广泛用于各种高效能电力转换场景,包括但不限于以下应用:
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 同步整流电路
- 电机驱动器
- 工业自动化控制
- 通信电源
- 汽车电子系统中的负载切换
CSD18533Q5B
CSD18534Q5B
CSD18535Q5B