时间：2025/7/16 10:49:09
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CSD1133D是德州仪器（TI）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高效能的电源转换、电机驱动以及其他需要高性能开关的应用场景。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及便携式电子设备等领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：4.7A
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ
栅极电荷：1.8nC
开关速度：快速
封装形式：SOT-23
CSD1133D具有极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗并提高系统效率。
该器件支持高频开关操作，有助于缩小无源元件的尺寸并优化整体设计空间。
MOSFET的热性能优异，可以有效管理在高电流应用中的温升问题。
此外，其坚固的构造确保了在严苛环境下的可靠运行，适合多种工业和消费类应用。
CSD1133D适用于各种功率转换和控制场合，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电池保护电路
- 电机驱动
- 便携式电子设备中的电源管理
CSD18502Q5A, FDS6670A, BSS138
