时间：2025/8/10 12:47:48
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TMG5C80C 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET模块，广泛应用于高功率电子设备中，例如电源转换器、电机控制和工业自动化系统。该模块集成了多个MOSFET器件，具有高耐压和大电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流：80A
最大漏-源电压：600V
导通电阻：典型值为0.15Ω
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装形式：双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）
栅极驱动电压：10V至20V
TMG5C80C 功率MOSFET模块具有多项出色的性能特性。首先，其高耐压能力（最大600V）和大电流承载能力（最大80A）使其适用于高功率密度设计。模块内部集成了多个MOSFET器件，以降低整体导通电阻，从而提高效率并减少发热。
此外，该模块采用先进的封装技术，确保了良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下运行。其导通电阻低至0.15Ω，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
TMG5C80C 的栅极驱动电压范围较宽，从10V至20V，使其能够兼容多种驱动电路设计，并提供稳定的开关性能。模块还具备良好的短路和过载保护能力，确保在异常工况下器件的安全运行。
TMG5C80C 主要用于需要高功率和高效能的电子系统中。典型应用包括工业电源、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动车充电设备等。其高可靠性和耐久性使其非常适合在恶劣工业环境中使用，同时也能满足消费类高功率设备的需求。
TK15A60D, IRF150, FQA80N60
