类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A（在TC=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.8mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK
　　功率耗散（PD）：310W（最大值）

PAH200N8具有多项显著的性能特点。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，从而提高电源转换效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在相同芯片面积下，电流处理能力大幅提升。
　　此外，PAH200N8具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等苛刻的应用场景。其高栅极电荷（Qg）特性也意味着在高频开关应用中能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。
　　为了增强其可靠性，PAH200N8内置了过热保护和短路保护功能，确保在极端工况下仍能保持稳定运行。同时，该器件的封装设计有助于提高散热效率，减少外部散热器的需求，从而简化系统设计并降低成本。

PAH200N8广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。由于其高电流处理能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理场景。
　　在电源适配器和开关电源（SMPS）中，PAH200N8用于主开关元件，提供高效的能量转换。在电机驱动应用中，它可以作为H桥电路的核心开关元件，控制电机的转向和速度。此外，该器件也常用于太阳能逆变器和储能系统中的功率开关，以确保系统的高效运行。
　　在汽车电子方面，PAH200N8适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用场景。其高温耐受能力和高可靠性使其成为汽车环境中理想的功率器件选择。

SiHF160N8F, IRLB8721, FDPF160N80F, Infineon IPW60R028C7