电容：47μF
　　容差：±20%
　　电介质材料：X5R
　　额定电压：10V
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　损耗角正切（Tanδ）：最大0.04
　　绝缘电阻：≥10000MΩ
　　额定纹波电流：根据具体应用条件计算

TMCSE0J476MTRF具有高电容密度，能够在相对较小的封装尺寸内提供较大的电容值，适用于紧凑型电子设备的设计。其X5R电介质材料确保了在-55°C至+85°C的工作温度范围内电容值的稳定性，温度变化对电容的影响较小。此外，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少高频噪声并提高电路的稳定性。TMCSE0J476MTRF还具有良好的耐久性和可靠性，能够承受多次热循环和机械冲击。其表面贴装封装设计简化了PCB布局和组装过程，适合自动化生产。
　　该电容器的另一个显著特点是其优异的去耦性能，能够有效降低电源线上的噪声和干扰，提升电路的信号完整性。由于其高绝缘电阻和低漏电流特性，TMCSE0J476MTRF也适用于高精度模拟电路和低功耗数字电路。

TMCSE0J476MTRF广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高稳定性和低噪声的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、稳压器、电源管理单元（PMU）以及各类便携式电子产品中的去耦和滤波电路。由于其良好的温度稳定性和高电容密度，该电容器特别适合用于高频开关电源和负载点（POL）电源系统，以提供稳定的电压供应并减少电压波动。此外，TMCSE0J476MTRF也常用于音频放大器、传感器接口电路以及嵌入式系统的电源滤波环节，确保电路在复杂电磁环境中仍能稳定运行。

GRM31CR61A476KA12K（Murata）、C3216X5R1A476M160AB（TDK）、CL31B476MPQNN（Samsung Electro-Mechanics）