电容值：6.8μF
　　额定电压：25V
　　电介质类型：X5R
　　容差：±20%
　　封装尺寸：1210 (3225)
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　最大高度：1.6mm（典型）
　　端接类型：Ni/Sn

TMCMC1E685MTR 采用 X5R 类电介质材料，具有良好的温度稳定性，其电容值随温度的变化范围在 ±15% 以内（-55°C 至 +85°C）。该电容器的容差为 ±20%，适合对电容精度要求不特别苛刻的应用场景。作为 SMD（表面贴装器件），该电容器易于实现自动化贴片，提高生产效率并降低生产成本。此外，其低 ESR（等效串联电阻）和 ESL（等效串联电感）特性使其非常适合用于高频去耦和电源滤波电路中，能有效抑制高频噪声，提高系统稳定性。由于其较高的额定电压（25V）和较大的电容值（6.8μF），该电容器可在多种电源管理电路中作为储能元件使用，有助于稳定电压波动。该电容器符合 RoHS 指令，不含铅和其他有害物质，适用于环保要求较高的电子产品中。
　　该器件的结构设计优化了机械强度，降低了因 PCB 弯曲或热应力引起的断裂风险。Vishay 作为全球领先的电子元器件制造商，确保了该电容器的高可靠性和长寿命，适用于严苛的工作环境。此外，TMCMC1E685MTR 在设计时考虑了高频率下的性能表现，能够在较高的工作频率下保持稳定的阻抗特性，适用于 DC-DC 转换器、LDO 稳压器以及其它电源管理电路中的输出滤波环节。

TMCMC1E685MTR 多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要稳定电容值和较高耐压能力的场合。常见应用包括电源管理模块中的去耦与滤波电容、DC-DC 转换器的输入/输出滤波电容、LDO 稳压器的输出稳定电容、微处理器和 FPGA 的电源去耦网络。此外，它也适用于通信设备、工业控制系统、测试仪器、医疗电子设备以及消费类电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源电路。由于其高频率响应和低 ESR 特性，该电容器也常用于射频（RF）电路和高速数字电路中的噪声抑制和电源稳定性设计。

TDK C3225X5R2E685K160AC, Murata GRM32ER61E685KA12L, Yageo LQW1210SR685MLJ