电容量：4.7μF
　　额定电压：10V
　　容差：±20%
　　封装尺寸：0805
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：X5R
　　等效串联电阻（ESR）：低ESR设计
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）

TMCMB1D475MTRV 具备优异的电气性能和机械稳定性。其采用X5R类陶瓷介质材料，具有良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化率控制在±15%以内，适用于各种恶劣环境条件下的应用。该电容器具有低ESR特性，有助于减少电源噪声并提高系统的稳定性，尤其在高频应用中表现出色。此外，TMCMB1D475MTRV 采用SMD封装，便于自动化生产和组装，提高了PCB板的布线效率。其紧凑的尺寸设计使其在空间受限的应用中具有明显优势，例如便携式电子产品、通信设备和汽车电子系统等。由于其高可靠性和优异的耐久性，该型号也广泛用于工业控制设备和消费类电子产品中。
　　在电容容差方面，该型号的容差为±20%，适用于对容差要求不特别严格的通用应用场合。此外，该电容器具备良好的自愈特性，即使在局部击穿的情况下，也能自动恢复，从而提高整体系统的可靠性。TMCMB1D475MTRV 的设计符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，符合现代电子产品的环保要求。

TMCMB1D475MTRV 多用于电源去耦、滤波电路、DC-DC转换器、音频放大器、射频（RF）模块以及各种需要高稳定性和低噪声的电子系统中。由于其良好的温度特性和高频响应，该型号广泛应用于移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备以及车载电子系统等领域。在电源管理系统中，该电容器可以有效抑制高频噪声，提高电源的稳定性和效率。在音频设备中，它能够提供良好的滤波性能，减少信号失真。此外，TMCMB1D475MTRV 也适用于精密模拟电路和数字信号处理系统，用于提升整体电路的性能和稳定性。

TDK C3216X5R1E475M、Murata GRM21BR61E475KA01L、Kemet C0805X5R1E475M、Samsung CL21B475KBANNNC