ME70N03A 是一款 N 沣道通的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件。该器件适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的应用场景。其封装形式通常为 TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺。
该型号采用增强型技术,具有低导通电阻和良好的热性能,可有效降低功耗还具备较高的雪崩击穿能力,能够在异常条件下提供更好的保护。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:70A
导通电阻:3.8mΩ
总功耗:115W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
ME70N03A 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可减少传导损耗,从而提升整体效率。
2. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩击穿能力,能够承受短暂的过载情况。
4. 小型化封装设计,适合高密度电路板布局。
5. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
该器件广泛应用于各种功率转换和控制场合,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级组件。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率调节模块。
5. 通信电源和工业自动化设备中的高效功率管理部分。
ME75N03, IRFZ44N, FDP077N03L