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GA1812A681GBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 13:47:44 查看 阅读:5

GA1812A681GBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的应用场景。
  其设计旨在优化功耗表现并减少热量产生,同时具备出色的耐用性和可靠性,适合工业及消费类电子设备中的多种应用需求。

参数

型号:GA1812A681GBAAR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):95W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  热阻(结到环境):40°C/W

特性

GA1812A681GBAAR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频操作。
  3. 强化的雪崩能量承受能力,提高了在异常情况下的保护性能。
  4. 良好的热稳定性,即使在高负载条件下也能保持稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 小型化封装,便于集成到紧凑型设计中。

应用

这款芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级转换。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 各类电机驱动电路中的功率控制。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的功率调节与分配。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  由于其高效的功率管理和稳健的设计,GA1812A681GBAAR31G成为众多功率敏感型应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP40NF06L

GA1812A681GBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-