时间：2025/9/14 3:25:03
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BUK7M3R3-40H 是一款由 NXP（恩智浦）公司生产的高性能功率 MOSFET 晶体管。这款 MOSFET 专为高效率电源应用而设计，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及卓越的热稳定性。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗，适用于各类开关电源、电机驱动和电池管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）@25°C：150A
导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
功率耗散（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK7M3R3-40H MOSFET 具备多项优异特性，首先其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达 150A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，其 TO-263 表面贴装封装形式不仅便于安装，而且具备良好的热传导性能，有助于提升器件的可靠性与稳定性。
在热管理方面，BUK7M3R3-40H 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适合在恶劣环境下运行。该 MOSFET 还具有快速开关能力，适用于高频开关电源设计。其栅极阈值电压范围适中，便于驱动电路设计，并能有效防止误触发现象。此外，该器件具有良好的雪崩能量承受能力，提高了在异常工作条件下的安全性。
从制造工艺来看，BUK7M3R3-40H 采用 NXP 的先进沟槽式 MOSFET 技术，优化了电场分布，提升了器件的耐用性和可靠性。同时，该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
BUK7M3R3-40H 主要应用于高功率密度电源系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件非常适合用于高效率的开关电源设计，特别是在需要高功率输出的工业设备和服务器电源系统中。
此外，BUK7M3R3-40H 还广泛用于新能源领域，如电动汽车（EV）充电系统、储能系统以及太阳能逆变器等。在这些应用中，该 MOSFET 可以作为主开关或同步整流元件，有效提升系统的整体效率和可靠性。其优异的热稳定性和宽工作温度范围也使其适用于车载电子系统和户外设备等高温环境下的应用。
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"BUK7K5R8-40H",
"BUK7K10-40E",
"IRF1324L2TRPBF",
"SiSS74DNF-T1-GE3"
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