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MCC162-12I01B 发布时间 时间:2025/8/5 19:53:33 查看 阅读:26

MCC162-12I01B 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率应用,如工业电机驱动、逆变器和电力转换系统。该模块具备高性能、高可靠性和高效率的特点,适用于要求严苛的工业和电力电子环境。MCC162-12I01B 结合了先进的 IGBT 技术和优化的封装设计,能够在高温和高电流条件下稳定工作。

参数

类型:IGBT 模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):162A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:模块封装
  短路耐受能力:典型值 10μs
  最大工作频率:30kHz
  导通压降(VCE_sat):约 2.15V(典型值)
  栅极驱动电压范围:-15V 至 +20V

特性

MCC162-12I01B 是一款先进的 IGBT 模块,采用了 Microsemi 的高功率密度 IGBT 技术,具备出色的热性能和电气性能。其最大集电极-发射极电压为 1200V,额定集电极电流为 162A,使其适用于中高功率应用。该模块的导通压降较低,典型值为 2.15V,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该模块具有较高的短路耐受能力,典型值为 10μs,能够在突发的短路情况下提供一定的保护能力,提高系统的稳定性。模块的工作温度范围较宽,从 -40°C 到 +150°C,适合在各种环境条件下使用。MCC162-12I01B 还具有较强的抗电磁干扰能力,并采用模块化封装设计,便于安装和散热管理。其栅极驱动电压范围为 -15V 至 +20V,能够兼容多种常见的 IGBT 驱动电路设计,提高系统的兼容性和灵活性。
  该模块的封装设计优化了热管理和机械稳定性,确保在高功率密度应用中能够长时间稳定运行。通过优化的封装结构,MCC162-12I01B 实现了低电感设计,减少了开关过程中的电压尖峰,从而降低了开关损耗并提高了系统的可靠性。在高频应用中,其最大工作频率可达 30kHz,适用于需要快速开关的变频器和逆变器应用。MCC162-12I01B 还具备良好的并联能力,适合在多模块并联运行的系统中使用,以满足更高功率的需求。此外,该模块通过了严格的质量认证,符合 RoHS 和 REACH 环保标准,适用于工业级和汽车级应用。

应用

MCC162-12I01B 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动、变频器、逆变器、UPS(不间断电源)、电动汽车充电系统以及太阳能逆变器等。在工业电机控制领域,该模块能够提供高效的功率转换能力,支持高性能的电机控制算法,如矢量控制和直接转矩控制。在可再生能源系统中,如光伏逆变器和风力发电变流器,MCC162-12I01B 能够实现高效的能量转换和稳定的系统运行。此外,该模块还广泛应用于轨道交通、智能电网和储能系统等领域。

替代型号

MCC162-12I01B 的替代型号包括 Infineon Technologies 的 FF150R12RT4 和 Mitsubishi Electric 的 CM150DY-24A。这些型号在功率等级、封装形式和电气特性上与 MCC162-12I01B 相似,可根据具体应用需求进行选择和替换。

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