类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：10V
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　介质材料：X5R
　　直流电阻（DCR）：最大0.035Ω
　　工作温度特性：X5R

TMCHB1D475MTRF具有出色的电性能和稳定性，适用于多种应用场景。其采用X5R介质材料，确保在较宽的温度范围内保持稳定的电容值。该电容器的容差为±20%，适合对电容值精度要求不是非常严格的电路设计。其额定电压为10V，能够在低压电路中提供可靠的性能。此外，该器件的等效串联电阻（ESR）非常低，有助于减少高频噪声和提高电源效率。封装尺寸为1210（3225公制），既适用于自动化贴片工艺，又可以在空间受限的设计中提供较高的电容密度。
　　该电容器还具备良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内表现出色，适合在严苛环境条件下使用的电子设备。由于其表面贴装结构，TMCHB1D475MTRF能够在SMT工艺中实现高效焊接，并减少电路板空间占用。此外，该电容器符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品环保要求。

该电容器广泛应用于各类电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、通信设备、工业控制系统、电源模块以及消费类电子产品。具体应用场景包括电源去耦、滤波电路、DC-DC转换器、音频电路、射频（RF）滤波器以及模拟和数字信号处理电路。由于其优异的高频特性和低ESR，TMCHB1D475MTRF在需要稳定电容值和低噪声的高性能电路中表现尤为突出。

TDK C3225X5R1E475KT000N, Murata GRM32ER61C475KA12L, Kemet C1210C475K3RACTU