TMBFR310 是一款双通道 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用小型 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种低压应用,如电源管理、负载开关、电池保护等。TMBFR310 的设计优化了效率和热性能,使其成为便携式电子设备的理想选择。
其特点包括低栅极电荷、高电流处理能力和出色的耐用性,同时具备反向传输二极管功能以减少复杂电路中的元件数量。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:0.18Ω
栅极阈值电压:1.5V~3.0V
功耗:250mW
工作温度范围:-55℃~150℃
TMBFR310 具有以下显著特性:
1. 高效的开关性能,支持高频应用。
2. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗。
3. 小巧的 SOT-23 封装节省 PCB 空间。
4. 内置反向传输二极管,简化电路设计。
5. 良好的热稳定性和可靠性,适合长期运行。
6. 宽工作温度范围,适应各种环境条件。
TMBFR310 通常应用于以下领域:
1. 移动设备中的电源管理。
2. 笔记本电脑及平板电脑的负载开关。
3. 电池供电设备中的过流保护。
4. LED 驱动器和 DC-DC 转换器。
5. 电机驱动和信号切换。
6. 通信设备中的功率分配控制。
BSS138
FDS2501
AO3400