HY57V161610D 时间：2025/9/2 9:54:19 阅读：9

HY57V161610D 是由现代（Hyundai，现为SK Hynix）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类型，广泛用于计算机、嵌入式系统和各种需要高速存储的应用中。HY57V161610D 采用16M x 16位的组织结构，总容量为256Mb（兆位），支持同步操作，提高了数据存取效率。

参数

容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16位
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　时钟频率：最高可达166MHz
　　数据传输速率：166MHz
　　存储器类型：CMOS SDRAM
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms

特性

HY57V161610D 是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，具有高速数据存取能力和较低的功耗，适用于多种电子设备。该芯片采用CMOS工艺制造，具有良好的稳定性和可靠性。其16M x 16位的组织结构使其总容量达到256Mb，能够满足中高密度存储需求。由于采用同步操作模式，该芯片能够在外部时钟信号的控制下实现高效的数据传输，最高支持166MHz的时钟频率，适用于需要高速处理的系统。
　　HY57V161610D 的工作电压为3.3V，符合低功耗设计趋势，适合嵌入式系统和便携式设备。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有较小的体积和良好的散热性能，适用于空间受限的应用场景。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级环境下的稳定运行需求。
　　该存储器支持标准的SDRAM控制信号，如时钟（CLK）、时钟使能（CKE）、行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE），便于与主控芯片进行接口设计。其刷新周期为64ms，确保数据在断电前能够得到及时刷新，防止数据丢失。此外，该芯片还支持突发模式（Burst Mode），能够实现连续数据的快速读写，提高系统整体性能。

应用

HY57V161610D 适用于多种需要高速存储的电子设备和系统，包括嵌入式控制系统、网络设备、工业自动化设备、消费类电子产品（如智能电视、机顶盒、游戏机）以及通信设备等。由于其高速同步操作能力和工业级工作温度范围，该芯片特别适合用于需要稳定性和可靠性的工业及通信应用。此外，该芯片也常用于开发板、评估板和原型设计中，为设计工程师提供灵活的存储扩展方案。