类型：SiC肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：180V
　　平均整流电流（IO）：5A
　　正向压降（VF）：典型值1.45V @ 5A, 25°C
　　最大正向压降（VF(max)）：1.7V @ 5A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：最大300μA @ 180V, 25°C；高温下可增至1mA @ 180V, 175°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerPAK SC-70
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　反向恢复时间（trr）：0ns（无反向恢复电荷）
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W
　　极性：阴极为标记端

SCDS5D18NT8R7的核心特性源于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，这种宽禁带材料使得器件在高温、高压和高频条件下仍能保持卓越性能。首先，该二极管具有零反向恢复时间（trr = 0），这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰，从而显著降低开关损耗和电磁干扰（EMI），提高整个电源系统的效率与稳定性。这一特性对于高频工作的PFC级和DC-DC变换器尤为重要，能够有效减少对滤波元件的要求并简化EMI滤波设计。
　　其次，尽管SiC肖特基二极管的正向压降略高于理想的理论值，但SCDS5D18NT8R7在5A电流下的典型VF仅为1.45V，在同类产品中处于较低水平，结合其无反向恢复损耗的优势，整体导通与开关损耗远低于传统超快恢复硅二极管。同时，其反向漏电流控制良好，在常温下不超过300μA，即使在175°C高温环境下也仅上升至1mA以内，表现出优异的温度稳定性。
　　再者，该器件支持高达+175°C的最大结温，允许在恶劣热环境中长期运行，减少了对外部散热措施的依赖，提升了系统可靠性。其PowerPAK SC-70封装不仅体积小巧，有助于节省PCB空间，还具备优良的热传导路径，确保热量快速从芯片传递到PCB，增强功率处理能力。此外，该器件具有较强的浪涌电流承受能力，适合应对瞬态过载工况，如启动冲击或电网波动，广泛应用于工业电源、通信设备和可再生能源系统中。

SCDS5D18NT8R7广泛应用于各类高性能电源转换系统中。首先，在功率因数校正（PFC）电路中，尤其是升压PFC拓扑结构中，该二极管作为输出整流元件，凭借其零反向恢复特性和低VF优势，大幅降低了开关管的应力和整体损耗，提高了系统效率，特别适用于80 PLUS钛金/铂金认证级别的高能效电源设计。
　　其次，在DC-DC转换器中，尤其是在高频率（>100kHz）操作的硬开关或谐振拓扑中，该器件可替代传统硅快恢复二极管，避免反向恢复带来的能量浪费和噪声问题，提升转换效率并改善动态响应性能。
　　此外，在太阳能光伏逆变器中，该二极管可用于直流侧防反接或旁路保护电路，利用其高温耐受能力和长期可靠性，在户外严苛环境下保持稳定运行。它同样适用于不间断电源（UPS）、服务器电源、电信整流器以及电动汽车车载充电机（OBC）中的辅助电源模块等场合。得益于其小型化封装和高效散热设计，该器件也非常适合用于高密度集成电源模块和便携式大功率适配器的设计中，帮助实现更轻薄、更节能的产品形态。

CSD05180A