TM5530P 时间：2025/8/3 13:15:29 阅读：37

TM5530P是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。该器件采用高性能硅技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高频率下稳定工作。TM5530P采用P沟道结构，适用于需要高效能、低功耗设计的电源系统。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-80A
　　导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ（典型值，Vgs = -10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPak）

特性

TM5530P具有多项优良特性，使其在电源应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在Vgs = -10V时，Rds(on)典型值为10.5mΩ，确保了在大电流条件下的稳定性能。
　　其次，该MOSFET的最大漏源电压为-30V，最大漏极电流可达-80A，具备较强的电流承载能力，适用于高功率应用场景。
　　此外，TM5530P的封装形式为TO-252（也称为DPak），具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在空间受限的电路板上使用。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，适用于多种驱动电路设计。
　　最后，其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用，具有良好的环境适应性和可靠性。

应用

TM5530P主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理系统**：如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器等，用于提高电源转换效率并减少发热。
　　2. **负载开关电路**：作为高侧或低侧开关，用于控制电源的通断，例如在电池管理系统中实现过流保护和负载切换。
　　3. **电机控制**：用于H桥驱动电路，控制直流电机或步进电机的方向和速度，适用于工业自动化和机器人控制。
　　4. **汽车电子**：如车载充电器、起动机控制、电动助力转向系统等，满足汽车环境下的高可靠性和温度适应性需求。
　　5. **工业设备**：包括UPS（不间断电源）、逆变器、LED驱动电源等，提供高效稳定的功率控制方案。