SNB5072C1ZNBR 时间：2025/4/27 16:22:52 阅读：5

SNB5072C1ZNBR 是一款表面贴装的功率 MOSFET 芯片，基于 N 沟道增强型技术。该器件采用 DPAK (TO-252) 封装，适合高效率和高功率密度应用。其低导通电阻特性使其成为电源管理、电机驱动以及负载开关等领域的理想选择。
　　这款 MOSFET 的设计目标是提供出色的性能表现，在高频开关应用中具有较低的开关损耗和较高的电流承载能力。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：42A
　　导通电阻（典型值）：2.5mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　总电容：1850pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：DPAK (TO-252)

特性

SNB5072C1ZNBR 具有非常低的导通电阻，能够显著减少功率损耗，从而提升整体系统的效率。此外，它还具备快速的开关速度和优秀的热稳定性，可以满足严苛的工作环境需求。
　　该芯片采用了先进的半导体制造工艺，确保了良好的一致性和可靠性。在高温环境下，依然能够保持稳定的电气性能，非常适合需要长期运行的工业和汽车应用。
　　其卓越的散热特性和坚固的结构设计，进一步增强了产品的耐用性。同时，该器件符合 RoHS 标准，环保且易于焊接与安装。

应用

该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机控制电路以及电池管理系统等领域。
　　在 DC-DC 转换器中，SNB5072C1ZNBR 可以作为主开关管使用，凭借其低导通电阻降低功耗，提高转换效率。
　　对于电机驱动应用，它可以精确地控制电机的启动、停止及调速操作。同时，由于其出色的过流保护能力，也可以有效地防止短路或过载情况的发生。
　　此外，这款器件也适用于负载开关和配电系统中的功率路径管理，为现代电子设备提供了可靠的电力传输解决方案。