时间：2025/5/31 1:51:03
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CDR31BP430BFUR是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高效率的能量转换。它适用于各种工业和消费电子领域，如电源适配器、电机驱动和LED照明等。
型号：CDR31BP430BFUR
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：430V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：5.6A
导通电阻(R_DS(on))：0.7Ω（典型值，V_GS=10V）
总功耗(P_TOT)：280W
结温范围(T_J)：-55°C to +150°C
封装类型：TO-220AC
CDR31BP430BFUR具有优异的电气性能和可靠性。其主要特点包括：
1. 高耐压能力：最高可达430V，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：在V_GS为10V时，典型导通电阻仅为0.7Ω，从而减少功率损耗。
3. 快速开关特性：具备较低的输入和输出电荷，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在高温环境下长期稳定工作。
5. 封装坚固：采用标准TO-220AC封装，便于散热设计和安装。
这些特性使得CDR31BP430BFUR成为高效能功率管理的理想选择。
CDR31BP430BFUR广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：用于DC-DC转换器、逆变器等设备中。
2. 电机驱动：支持无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制。
3. LED照明：作为恒流源或开关控制器使用。
4. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、电视机等。
5. 工业自动化设备：如PLC控制器、伺服驱动系统等。
其高可靠性和高效性能使它在众多功率转换场景中表现出色。
CDR31BP430BFR, IRF840, STP16NF45
