时间：2025/9/3 1:32:09
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3N127 是一款早期的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关、放大器、电源管理和电机控制等应用。它具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于中高功率的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：4A
最大功耗（Pd）：40W
导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
3N127 具有良好的热稳定性和较高的开关速度，适合用于高频开关应用。
其N沟道结构提供了较低的导通压降，从而减少了功率损耗。
该器件的封装形式通常为TO-220或TO-3P，便于散热和安装。
由于其良好的耐用性和稳定性，3N127 在工业控制、电源转换和音频放大器中都有广泛应用。
虽然该器件是早期型号，但由于其可靠性和成本效益，仍然在许多应用中被使用。
3N127 常用于电源管理电路，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
它也适用于电机控制、继电器驱动和LED照明等需要高电流开关的应用。
此外，该MOSFET还可用于音频放大器中的输出级，提供较高的输出功率和效率。
在工业自动化系统中，3N127 可作为功率开关来控制各种执行器和传感器。
IRF540, 2N6755, BUZ11
