制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储容量：400 Mbit
　　存储组织：256 K x 16 位
　　工作电压：2.7 V 至 3.6 V
　　接口类型：并行
　　读取访问时间：80 ns
　　封装类型：TSOP-II
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程/擦除耐久性：10万次
　　数据保持时间：10年
　　供电电压（Vcc）：3.0 V ~ 3.6 V
　　I/O电压（Vccq）：2.7 V ~ 3.6 V

PA28F400-B5B80具备多项先进特性，使其在嵌入式闪存市场中占据重要地位。首先，它采用了Intel专有的多级单元（MLC）技术，允许每个存储单元存储多位数据，从而在不增加物理尺寸的情况下大幅提升存储密度。这一技术不仅降低了单位比特的成本，也使得该芯片成为高性价比的大容量嵌入式存储解决方案。其次，该器件支持快速读取访问时间（典型值为80ns），确保了系统在运行复杂代码或频繁调用固件时仍能保持流畅响应，特别适用于实时操作系统（RTOS）或需要快速启动的应用场景。此外，PA28F400-B5B80内置了智能命令执行引擎，可通过标准的命令集实现芯片识别、块擦除、字编程、读取缓存等多种操作，简化了软件开发流程，并减少了主控CPU的干预需求。
　　另一个显著特点是其强大的可靠性与耐久性设计。该芯片支持高达10万次的编程/擦除周期，远超传统NOR Flash的平均水平，同时数据保持时间可达10年以上，即使在极端温度条件下也能稳定保存信息。为了提升系统安全性，PA28F400-B5B80还提供了硬件级的安全保护机制，包括可配置的锁定块功能，防止未经授权的读取或修改，有效抵御恶意篡改和逆向工程攻击。此外，该芯片支持多种低功耗模式，如自动休眠和深度掉电模式，在系统空闲时大幅降低功耗，非常适合便携式设备或远程部署的工业终端。
　　PA28F400-B5B80还具备优异的温度适应能力，可在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作，满足工业级和汽车级应用的需求。其采用的TSOP-II封装具有良好的电气性能和热稳定性，适合自动化贴片生产。尽管该芯片为并行接口设计，带宽较高，但相应的引脚数量较多，对PCB布局提出了更高要求。总体而言，PA28F400-B5B80以其高密度、高速度、高可靠性和丰富的功能集，成为当时嵌入式系统中理想的固件存储选择。然而，随着串行QSPI和Octal SPI Flash的普及，此类并行闪存在新设计中的应用已逐渐减少。

PA28F400-B5B80主要应用于各类需要大容量、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。其典型应用场景包括工业自动化控制器（PLC）、网络交换机与路由器、电信基站设备、医疗仪器、汽车信息娱乐系统以及航空航天电子模块等。在这些领域中，系统通常需要长时间运行且不能轻易更换存储介质，因此对闪存的耐久性、数据保持能力和环境适应性有极高要求。PA28F400-B5B80凭借其工业级温度范围、高达10万次的擦写寿命和10年以上的数据保持能力，能够胜任严苛的工作环境。例如，在通信设备中，该芯片常用于存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置参数，支持快速上电启动和稳定的运行表现。在工业控制系统中，可用于存放控制逻辑、校准数据和故障日志，确保设备在断电后仍能恢复原有设置。此外，该芯片也被用于一些高端消费类电子产品中，如数字机顶盒、打印机主控板和POS终端，作为主程序存储器使用。由于其并行接口提供较高的数据吞吐率，特别适合需要直接XIP（eXecute In Place）执行代码的应用，即CPU可以直接从闪存中读取指令而无需将程序加载到RAM，从而节省内存资源并加快启动速度。虽然目前该型号已趋于淘汰，但在许多仍在服役的旧设备中依然发挥着重要作用。

S29GL032N