类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：100mA（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约150Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92、TO-205AD

2N3925作为一款经典的MOSFET器件，具有以下几个显著特性：
　　首先，它具备较高的开关速度，这使得它在高频开关应用中表现优异，能够有效降低开关损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的输入阻抗高，栅极驱动电流小，有助于简化驱动电路设计。
　　其次，2N3925的导通电阻相对较低，虽然与现代功率MOSFET相比稍高，但在其设计年代已经具备较好的导通性能。该特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提高能效。
　　再者，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其最大工作温度可达+150°C，适合在工业级和部分军用级应用中使用。
　　此外，2N3925的封装形式多样，TO-92封装适用于低功率应用，而TO-205AD则具备更好的散热性能，适合中等功率应用。这些封装形式也有助于提高器件在不同电路环境中的兼容性。
　　最后，由于其成熟的设计和广泛的使用历史，2N3925在市场上具备较高的可获得性和较低的成本，适合用于原型设计、教育实验和小批量生产。

2N3925广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面，它常用于DC-DC转换器、稳压电路和电池充电电路，能够有效控制能量传输并提高系统效率。在模拟和数字开关电路中，该MOSFET可作为高速开关使用，适用于数据采集系统和信号路由。
　　此外，2N3925也常用于电机控制电路中，如小型电机的驱动和调速。由于其较高的开关速度和良好的热稳定性，它在脉宽调制（PWM）控制中表现出色。
　　在音频放大器和功率放大器设计中，该MOSFET也可用于构建高保真放大电路，提供良好的线性响应和较低的失真率。此外，该器件还常见于各种测试设备、工业控制设备和消费类电子产品中。

2N3927, 2N3928, 2N4351, 2N4416