类型：NPN型晶体管
　　封装形式：金属或塑料封装
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：20V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：25V
　　最大功耗（Ptot）：100mW
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　电流增益（hFE）：在2kHz下，典型值为60至400（根据不同分档）
　　噪声系数：较低（适合前置放大）

3DG4B晶体管具有以下显著特性：
　　1. 高频响应良好：由于其过渡频率（fT）可达80MHz，3DG4B适用于高频放大电路，尤其适合在射频和中频放大器中使用。
　　2. 低噪声系数：3DG4B设计用于前置放大器，能够有效降低信号噪声，提高整体电路的信噪比。这使得它在音频放大和通信系统中具有较高的应用价值。
　　3. 稳定性高：该晶体管具有良好的温度稳定性和工作稳定性，能够在较宽的温度范围内保持性能不变。
　　4. 多种电流增益分档：hFE值根据不同的应用场景进行分档，允许设计者根据需要选择合适的增益等级，提高电路的灵活性。
　　5. 封装多样化：3DG4B可以采用金属或塑料封装，便于在不同类型的电路板和应用环境中使用。
　　6. 低功耗设计：最大功耗仅为100mW，适合低功耗电子设备的使用。
　　7. 耐压性能良好：集电极-发射极电压最大可达20V，能够适应较宽的电源电压范围。

3DG4B晶体管广泛应用于以下领域：
　　1. 高频放大器：3DG4B的高频特性使其适用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路，如无线通信设备中的信号放大部分。
　　2. 音频前置放大器：由于其低噪声系数，3DG4B常用于音频放大器的前置级，以提升信号质量和减少噪声干扰。
　　3. 通用放大和开关电路：3DG4B可以作为低频放大器或开关元件，用于各种通用电子电路中。
　　4. 电子测量仪器：该晶体管用于需要高稳定性和低噪声的测量设备中，例如信号发生器和示波器。
　　5. 工业控制电路：3DG4B在工业自动化系统中用于信号处理和控制电路中，提供稳定的放大和开关功能。

2N3904, BC547, 9013, 3DG6