类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装/外壳：TO-247AC
　　反向重复峰值电压 VRRM：60V
　　直流阻断电压 VR：60V
　　平均整流电流 I(AV)：60A（单管，Tc=125°C）
　　正向压降 VF：0.82V（典型值，IF = 30A, Tj=125°C）
　　最大正向压降 VF(max)：0.95V（IF = 30A, Tj=125°C）
　　非重复峰值浪涌电流 IFSM：300A（半正弦波，8.3ms）
　　反向漏电流 IR：3.0mA（典型值，VR = 60V, Tj=125°C）
　　结温范围 TJ：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +175°C
　　热阻 RθJC：1.2°C/W（典型值）

SBR60A60CT的核心优势在于其优异的电学性能与结构设计，使其在现代高效率电源系统中成为理想选择。首先，该器件采用肖特基势垒原理，利用金属与半导体之间的势垒实现整流功能，避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，因此几乎没有反向恢复时间（trr接近于零）。这一特性使得它在高频开关电路中表现极为出色，可大幅减少开关过程中的能量损耗，提高电源转换效率，并降低电磁干扰（EMI）水平。
　　其次，SBR60A60CT具备非常低的正向导通压降，在30A的工作电流下，典型VF仅为0.82V，最大不超过0.95V（在125°C时），这意味着即使在大电流条件下也能保持较低的导通损耗，从而减少发热，提升系统能效。对于需要持续高负载运行的应用场景，如服务器电源或工业电源模块，这种低损耗特性至关重要。
　　第三，该器件支持高达60A的平均整流电流，并能承受300A的非重复浪涌电流，体现出强大的过载能力。这对于应对启动瞬间的大电流冲击（如电机驱动或电源上电）提供了安全保障。同时，其结温最高可达175°C，说明其具有出色的热稳定性，可在高温环境中长期可靠运行。
　　此外，TO-247封装不仅机械强度高，而且热阻低（RθJC约为1.2°C/W），有利于将芯片产生的热量迅速传导至外部散热器，确保器件在高功率密度下仍能维持安全的工作温度。双共阴极结构也简化了PCB布局设计，尤其适用于中心抽头变压器整流或同步整流辅助电路中。整体而言，SBR60A60CT结合了高性能、高可靠性与易用性，是现代电力电子系统中不可或缺的关键元件之一。

SBR60A60CT广泛应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。最常见的用途是在开关电源（SMPS）中作为输出整流二极管，特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中，例如用于服务器、电信设备和工业控制系统的电源模块。由于其低正向压降和无反向恢复时间的特性，能够显著提高转换效率，减少热耗散，从而允许更高的功率密度设计。
　　该器件也常用于逆变器电路中，作为续流二极管（freewheeling diode）或箝位二极管（clamping diode），保护功率开关管（如MOSFET或IGBT）免受感性负载关断时产生的反向电动势损害。在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电机驱动器中，这类保护功能尤为重要。
　　此外，SBR60A60CT还可用于电池充电系统、焊接设备和DC-AC转换装置中，承担主整流或能量回馈路径的角色。其高浪涌电流能力使其能够承受突发性的大电流冲击，提高了系统的鲁棒性和可靠性。
　　在一些高端应用场景中，SBR60A60CT也被用作同步整流的辅助二极管，配合控制器和MOSFET实现更高效的能量转换。由于其快速响应和低损耗特性，即使在高频（数百kHz以上）工作条件下也能保持良好性能。总之，该器件适用于所有对效率、可靠性和热管理有严格要求的中高功率电子系统。

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　　 "SB60A60CT",
　　 "SBR60U60CT",
　　 "SR60A60",
　　 "SS60A60"
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