TK99P01 时间：2025/8/10 20:27:06 阅读：12

TK99P01 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效率功率转换应用设计。这款MOSFET采用先进的沟槽工艺技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。TK99P01 属于P沟道MOSFET类型，具有良好的热稳定性和快速开关特性，能够在高负载条件下提供稳定的性能。其封装形式通常为SOP（小外形封装）或类似的小型化表面贴装封装，便于在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4.3A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大16mΩ（在Vgs = -4.5V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP-8（或其他表面贴装封装）
　　功耗（Pd）：2W（最大）
　　栅极电荷（Qg）：约7.5nC
　　漏极电容（Ciss）：约500pF

特性

TK99P01 采用了东芝先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具备极低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统的能效。此外，该器件的栅极电荷较低，使得开关速度更快，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。其P沟道结构设计使其在高边开关应用中具有优势，例如在同步整流电路或电机驱动电路中。TK99P01 的热稳定性良好，即使在高负载或高温环境下也能保持稳定运行。该器件还具备较强的抗静电能力，提高了在实际应用中的可靠性。其封装设计支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和良好的散热性能。

应用

TK99P01 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理系统；DC-DC转换器中的高边开关；电池供电设备的负载开关控制；电机驱动电路；LED背光或照明控制电路；以及各种工业控制与电源管理模块。由于其低导通电阻和高频率响应特性，TK99P01 特别适合用于需要高效率、小体积和高性能的电源转换系统。