时间：2025/6/5 11:57:02
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FN21X221K500PXG是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子设备中。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效提升系统效率并降低热损耗。
这款功率MOSFET使用N沟道增强型结构，适合高频率应用场合，并且具备良好的电气特性和稳定性，可以承受较高的电压和电流冲击。其封装形式为行业标准的PQFN，体积小、散热性能优异，非常适合对空间和性能有严格要求的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源极电压Vds：500V
最大栅源极电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：45A
导通电阻Rds(on)：0.06Ω（在典型条件下）
输入电容Ciss：3500pF
总栅极电荷Qg：85nC
工作温度范围Tj：-55°C至+175°C
封装形式：PQFN
1. 极低的导通电阻设计，有助于减少传导损耗，提高系统整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频电路设计，适用于现代高效能应用需求。
3. 具备强大的雪崩能量吸收能力，确保在异常工作条件下的可靠性。
4. 小型化封装，节省PCB板空间，同时保持高效的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种极端环境中的稳定运行。
6. 内置ESD保护功能，增强了芯片的鲁棒性，防止静电损坏。
7. 符合RoHS环保标准，满足绿色电子产品设计要求。
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关，用于汽车电子和工业控制领域。
3. 电机驱动电路中的功率级控制，例如电动车窗、风扇等。
4. LED驱动器中的功率开关，实现精确电流调节和高效能量转换。
5. 各种需要高压大电流处理能力的电力电子设备，如逆变器、不间断电源（UPS）等。
IRFP460N
FDP15N50
STP17NF50
