时间：2025/6/14 11:27:09
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SI2356DS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种功率转换应用。该器件封装为 DSOP-8，能够提供优异的热性能和电气性能。
SI2356DS 在消费电子、工业设备以及通信电源等领域中广泛使用，其设计特别针对高效率和紧凑型解决方案进行了优化。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：17A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI2356DS 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 小巧的 DSOP-8 封装形式，有助于节省 PCB 空间。
4. 良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下长期运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该 MOSFET 常用于以下场景：
1. DC-DC 转换器中的同步整流开关。
2. 开关电源 (SMPS) 的主开关或辅助开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护和负载切换电路。
5. 各类便携式设备中的高效功率管理模块。
SI2379DS, IRFZ44N, FDN364N
