时间：2025/6/22 12:49:58
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GA1210A221FXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动以及负载切换等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
此型号属于增强型N沟道MOSFET系列，通过优化设计实现了更低的功耗和更高的耐用性，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：16A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用场景下的高效性能。
2. 快速开关特性使其非常适合高频开关电源设计。
3. 具备良好的热稳定性，在极端温度条件下依然保持稳定运行。
4. 内置ESD保护电路提升了产品的抗静电能力。
5. 高雪崩能量耐受能力增强了器件在异常条件下的可靠性。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流无刷电机驱动中的功率级元件。
3. 负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的电源管理部分。
IRFZ44N, FQP16N120, STP16NF12
