时间：2025/8/9 9:00:43
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FMW13N90G是一款高压高功率场效应晶体管（MOSFET），通常用于电力电子应用中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于如电源转换器、逆变器以及电机控制等应用。FMW13N90G采用先进的制造工艺，以确保其在高电压和高功率条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压（Vds）：900V
漏极连续电流（Id）：13A
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值约为0.55Ω
最大耗散功率（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
FMW13N90G MOSFET具备多项显著特性。其高击穿电压能力（900V）使其适用于高电压操作环境，确保在高压条件下稳定运行。低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力（13A）确保其能够应对高功率负载的需求。此外，FMW13N90G采用了高效的封装技术，增强了散热能力，使其能够在高温环境下可靠工作。其宽泛的栅极-源极电压范围（±30V）提供了更大的控制灵活性，并增强了器件的抗干扰能力。最后，该MOSFET具有较长的使用寿命和高可靠性，适用于工业级和高要求的电子系统设计。
在性能方面，FMW13N90G表现出色。其快速开关特性降低了开关损耗，提高了系统的整体响应速度。同时，该器件在高频工作条件下依然能够保持稳定，适用于高频率开关电源和逆变器应用。由于其优化的结构设计，FMW13N90G还具备较低的电磁干扰（EMI），有助于减少外部滤波电路的需求，从而简化系统设计并降低整体成本。此外，该MOSFET的热稳定性较强，在高负载条件下不易发生热失控，确保系统的安全运行。
FMW13N90G广泛应用于电力电子系统，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动、LED照明系统、工业自动化设备、电池管理系统以及太阳能逆变器等领域。
FQA13N90C, FCP13N90
