时间：2025/4/27 13:24:01
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TK4A65DA是一款高性能的MOSFET功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高电路效率并降低热损耗。
该芯片的主要特点是其出色的电气性能和可靠性，适合在严苛的工作环境下运行。此外，它还具有较小的封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
1. 高击穿电压，支持高达650V的应用环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保了高效的能量传输和较低的功耗。
3. 快速开关能力，减少了开关损耗并提升了系统效率。
4. 强大的过流保护功能，增强了器件的耐用性和稳定性。
5. 优化的热性能，有助于在高功率应用中保持稳定运行。
6. 紧凑型封装设计，方便在空间受限的设计中使用。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类工业设备中的功率管理模块。
5. 充电器和适配器中的高效功率转换元件。
6. 逆变器和不间断电源(UPS)系统中的关键功率器件。
IRFZ44N, STP12NK65Z, FQP15N65C
