RF7917TR13-5KW 时间：2025/8/15 19:47:55 阅读：21

RF7917TR13-5KW 是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的射频功率晶体管，专为高功率射频应用而设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具有高效率、高线性度和出色的热稳定性，适用于无线基础设施、基站、工业加热、医疗设备以及广播系统等多种应用领域。RF7917TR13-5KW采用紧凑的表面贴装封装，便于集成到现代射频系统中，同时具备良好的散热性能，以确保在高功率条件下的长期可靠性。

参数

器件类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　封装类型：表面贴装
　　频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：120 W（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：>60%（典型值）
　　工作电压：28 V
　　输入驻波比（VSWR）：<2.5:1
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

RF7917TR13-5KW的主要特性之一是其在2.3 GHz至2.7 GHz频率范围内提供高达120 W的输出功率，使其非常适合用于蜂窝通信系统中的射频放大器设计。该器件采用了LDMOS技术，提供了出色的线性度和效率，这对于现代通信系统中减少信号失真和提高能效至关重要。其高效率表现（>60%）不仅有助于降低功耗，还能减少散热需求，从而提高系统的整体可靠性。
　　此外，RF7917TR13-5KW具有良好的输入驻波比（VSWR）性能，典型值小于2.5:1，这意味着它能够有效地与射频前端电路匹配，减少信号反射并提高传输效率。器件的工作电压为28 V，适用于大多数射频功率放大器的供电标准，同时其宽泛的工作温度范围（-40°C至+150°C）确保了在各种环境条件下都能稳定运行。
　　该晶体管的封装设计优化了散热性能，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。其紧凑的尺寸也使得它能够适应空间受限的设计需求，同时不影响性能。RF7917TR13-5KW还具备出色的耐用性和抗干扰能力，能够在高功率和高频率环境下长时间工作而不发生性能下降。

应用

RF7917TR13-5KW广泛应用于无线通信基础设施中，尤其是在4G LTE和5G基站的射频功率放大器模块中。其高输出功率和高效率特性使其成为多载波GSM、WCDMA、CDMA2000等移动通信系统的理想选择。此外，该器件也常用于工业和医疗设备中的射频能量传输系统，如射频加热和等离子体生成设备。广播系统中的射频发射器也会使用RF7917TR13-5KW来提高信号覆盖范围和传输质量。其他潜在应用包括雷达系统、测试设备和高功率无线发射器等需要高线性度和高效率的射频功率放大的场合。