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MMIX1T132N50P3 发布时间 时间:2025/8/6 0:07:44 查看 阅读:33

MMIX1T132N50P3 是一款由 IXYS 公司制造的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块。该模块采用先进的功率封装技术,专为高电流、高效率的功率转换应用而设计。MMIX1T132N50P3 通常用于工业电源、不间断电源(UPS)、逆变器、电动车辆充电系统以及其他高功率电子设备中。该模块集成了多个MOSFET芯片,具有低导通电阻和高热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。

参数

类型:MOSFET模块
  漏极-源极电压(Vds):500V
  漏极连续电流(Id):132A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为13.2mΩ
  封装类型:模块封装
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  栅极电荷(Qg):典型值为180nC
  短路额定值:有
  安装类型:通孔安装

特性

MMIX1T132N50P3 MOSFET模块具有多项先进特性,确保其在高压、高电流应用中的稳定性和效率。首先,该模块具有非常低的导通电阻(Rds(on)),减少了导通损耗,提高了能效。其次,模块采用高雪崩能量耐受能力的设计,能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作,避免损坏。此外,该器件具有良好的热管理性能,模块内部的热阻较低,有助于快速散热,从而延长使用寿命并提高系统可靠性。其封装设计符合行业标准,便于安装和散热器的集成,适用于高密度功率设计。MMIX1T132N50P3 还具有快速开关特性,减少了开关损耗,使其适用于高频开关电源应用。最后,该模块经过严格测试,具备良好的短路保护能力,能够在异常条件下提供额外的安全保障。

应用

MMIX1T132N50P3 MOSFET模块广泛应用于需要高功率密度和高效能转换的场合。例如,在工业自动化电源系统中,它被用于构建高效DC-AC逆变器和DC-DC转换器;在可再生能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统中,该模块能够实现高效的能量转换。此外,它还适用于电动车辆的充电系统、电池管理系统(BMS)以及大功率UPS系统。由于其优异的短路和过热保护能力,MMIX1T132N50P3 也常用于高要求的电源管理设备和测试设备中。

替代型号

IXFH132N50P3, IXFX132N50P3

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MMIX1T132N50P3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥419.20000管件
  • 系列Polar?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)63A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)43 毫欧 @ 66A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)267 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)18600 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)520W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装Polar3?
  • 封装/外壳24-PowerSMD,22 引线