时间：2025/7/5 5:31:09
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TK31V60W是一款高压MOSFET功率晶体管，采用LVQ(S)封装形式。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高电压应用场景。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够有效提升系统的效率和可靠性。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，通过栅极电压控制漏极电流的流通与截止，适用于需要高效开关特性和耐高压能力的设计。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.75A
栅源电压：±20V
导通电阻：4.5Ω
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至150℃
TK31V60W的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达600V的工作电压，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（4.5Ω），可减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，优化高频电路性能。
4. 封装为LVQ(S)，具备良好的散热性能和电气连接稳定性。
5. 工作温度范围宽广（-55℃至150℃），适应恶劣的工业环境。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高压侧开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 逆变器及太阳能逆变系统中的功率级组件。
5. 各种工业自动化设备中的高压负载控制模块。
TK31V60W-P, IRF640N, STP30NF60
