时间：2025/8/22 11:14:21
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SMV1413-001 是一款由 Broadcom（安华高）生产的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），专为高频、低噪声放大应用设计。该器件适用于无线通信系统、基站、微波链路以及其他需要高性能射频前端的场景。SMV1413-001 提供了出色的噪声系数和高线性度，能够在高频段（如2GHz以上）稳定工作，适合用于低噪声放大器（LNA）和射频前端模块。
类型：GaAs FET
频率范围：DC 至 12 GHz
噪声系数：约 0.65 dB（典型值，在 2 GHz）
增益：约 18 dB（典型值，在 2 GHz）
输出功率：1 dB 压缩点约 19 dBm
工作电压：+3V 至 +12V 可调
工作电流：约 50 mA（典型值）
封装形式：SOT-343（4引脚）
阻抗匹配：50Ω 输入/输出
SMV1413-001 的核心优势在于其出色的低噪声性能和高稳定性。该器件在2GHz频段的噪声系数仅为0.65dB，使得它非常适合用于高灵敏度接收系统中的低噪声放大器设计。此外，其增益高达18dB，提供了良好的信号增强能力，同时输出功率在1dB压缩点可达19dBm，具备一定的线性输出能力。
这款FET器件采用了高可靠性的GaAs工艺制造，具有良好的温度稳定性和长期工作可靠性。其工作电压范围较宽（3V至12V），便于在不同系统中灵活使用。由于其内部已经进行了一定程度的阻抗匹配（50Ω输入/输出），在设计应用时可以减少外围匹配元件的数量，简化PCB布局并降低整体成本。
SMV1413-001 主要应用于无线通信系统的射频前端，如蜂窝基站、WiMAX、WLAN（无线局域网）、卫星通信、微波链路和测试测量设备等场景。由于其低噪声和高增益特性，常被用于低噪声放大器（LNA）设计中，以提升接收机的灵敏度。
在蜂窝通信系统中，SMV1413-001 可用于2G、3G、4G基站的接收通道中，作为前级放大器以增强微弱信号。在Wi-Fi和WiMAX系统中，该器件可用于构建高性能的射频接收模块。此外，它也适用于测试仪器中的信号采集前端，确保测量的准确性和稳定性。
由于其宽频带特性，该FET可在多个频段上使用，如2.4GHz ISM频段、5.8GHz通信频段以及更高的微波频段，适应性强，适用范围广泛。
ATF-54143（Avago）、NE3210S01（NEC）、BFP420（Infineon）、BFQ56（NXP）
