时间：2025/9/6 11:43:24
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SFAF504G 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率、高频应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制和功率放大等场景。SFAF504G 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够在高电流和高温环境下稳定工作。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：44A
最大漏源电压（VDS）：55V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.4mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：85nC
输入电容（Ciss）：2400pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SFAF504G 具有极低的导通电阻（RDS(on)），可在高电流条件下提供更低的功率损耗，提高整体系统效率。其高耐压特性（55V）使其适用于多种中高压功率转换应用。
该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 结构，具有优异的热稳定性和较高的电流承载能力。TO-220 封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下的长期可靠性。
此外，SFAF504G 的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出色，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机驱动和负载开关等场景。
器件的栅源电压范围为 ±20V，提供了较大的驱动灵活性，同时具备良好的抗雪崩能力，增强了在极端工作条件下的稳定性。
SFAF504G 常用于各种高功率和高频电子系统中，如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制器、负载开关和功率放大器。其优异的导通性能和热稳定性也使其成为汽车电子、工业电源和可再生能源系统中的理想选择。
IRF540N, STP55NF06L, FDP5030BL
