制造商：AMD (现 Infineon Technologies)
　　系列：Am29F
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit
　　存储结构：1M x 8 位
　　接口类型：并行（8位数据总线）
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：120 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-TSOP-I（FC）
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　擦除方式：整片擦除 / 扇区擦除（每64KB扇区）
　　扇区数量：16个（每个64KB）
　　写保护功能：支持硬件WP#引脚和软件写保护
　　编程/擦除耐久性：典型10万次循环
　　数据保持时间：典型10年

AM29F080B-120FC具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域表现出色。首先，其单电源供电设计简化了系统电源架构，无需额外提供高编程电压，内部集成的电荷泵可在编程和擦除操作期间自动生成所需的高压，显著降低了对外部电路的依赖，提高了系统的集成度与稳定性。其次，该器件支持两种擦除模式：整片擦除和扇区擦除，用户可根据实际需求灵活选择，既可快速清除全部数据，也可仅擦除特定区域以保留其他重要信息，提升了数据管理效率。每个64KB大小的扇区允许精细控制，便于实现固件更新、配置参数保存等功能。此外，AM29F080B采用了高效的命令寄存器接口，通过向特定地址写入预定义的六字节解锁序列来启动各种操作，这种机制有效防止了因误操作导致的数据损坏，增强了系统的安全性。
　　该芯片还具备强大的错误处理能力，在编程或擦除失败时会设置相应的状态位，主控可通过轮询或中断方式获取操作结果，确保数据写入的可靠性。其120纳秒的访问时间满足大多数中高速处理器的直接执行（XIP, eXecute In Place）需求，即代码可直接从Flash中运行而无需加载到RAM，节省了内存资源并加快了启动速度。在可靠性方面，器件保证至少10万次的编程/擦除寿命以及长达10年的数据保持能力，适用于长期运行且需要频繁更新的工业环境。同时，支持软件和硬件双重写保护机制，进一步防止意外修改关键代码或数据。最后，其48-TSOP封装具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产，广泛应用于通信模块、工控主板、打印机、POS终端等设备中。

AM29F080B-120FC主要用于需要可靠、稳定且可重复编程的非易失性存储解决方案的各种嵌入式系统中。典型应用场景包括网络设备中的固件存储，例如路由器、交换机和调制解调器，这些设备依赖于Flash存储操作系统映像和配置文件，并通过远程更新实现功能升级。在工业控制系统中，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和智能仪表中，用于保存控制程序、校准数据和历史记录。消费类电子产品如彩色复印机、激光打印机和多功能一体机也广泛采用此类并行NOR Flash来存储设备驱动、字体库和用户设置。此外，在汽车电子领域，尽管当前趋势转向更小封装和更低功耗的串行Flash，但AM29F080B仍可用于车载信息娱乐系统的早期设计或辅助控制模块中。医疗设备中的一些老式监护仪或诊断仪器也可能使用该芯片进行引导程序存储。由于其支持XIP（就地执行）特性，非常适合对启动时间和代码执行效率有要求的应用。另外，在军事和航空航天领域的部分 legacy 系统中，因其经过长期验证的可靠性和抗干扰能力，AM29F080B也被用于关键任务的数据和程序存储。虽然随着技术发展，许多新设计已转向SPI NOR Flash或eMMC等更现代的存储方案，但在设备维修、备件替换和系统升级项目中，AM29F080B依然具有不可替代的作用。

S29GL008D-120FC
　　S29AL008J-120FC
　　MT28EW080ABA-120
　　CY29F080AB-120FC