型号：LYCN5M
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：1.7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：6A
　　功耗PD：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻RDS(on)：85mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：110mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V

LYCN5M 具备优异的开关特性和较低的导通损耗，这主要得益于其优化的沟道设计和先进的制造工艺。该 MOSFET 的导通电阻在 VGS = 10V 时仅为 85mΩ，在 VGS = 4.5V 时为 110mΩ，这一性能使其在低电压驱动条件下仍能保持较高的效率，特别适用于电池供电设备或需要节能设计的系统中。低 RDS(on) 不仅减少了导通状态下的功率损耗，还有助于降低温升，提高系统可靠性。
　　该器件的阈值电压范围为 1.0V 至 2.5V，表明其可以在较低的栅极驱动电压下开启，兼容 3.3V 和 5V 逻辑电平控制信号，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。同时，其最大漏源电压为 60V，能够胜任大多数中低压应用场景，如 USB 电源开关、小型 DC-DC 变换器和 LED 驱动电路等。
　　SOT-23 小型表面贴装封装不仅节省 PCB 空间，还具备良好的散热性能，通过合理布局 PCB 敷铜区域可进一步提升其散热能力，从而允许器件在接近 1W 的功耗下稳定运行。此外，该器件具有较强的抗静电能力（ESD 保护），增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
　　LYCN5M 还表现出良好的开关速度，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）相对较小，有利于减少开关延迟和动态损耗，提升高频工作的效率。因此，它非常适合用于高频 PWM 控制场合，例如小型电机调速、LED 调光以及同步整流等应用。综合来看，LYCN5M 是一款性能均衡、成本低廉且易于使用的 N 沟道 MOSFET，适用于广泛的通用开关与功率控制任务。

LYCN5M 广泛应用于各类中低功率电子系统中，典型用途包括便携式设备中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电池管理模块，用于控制负载通断以实现节能目的。在 DC-DC 转换器中，该器件常被用作同步整流管或低端开关管，以提高转换效率并减少发热。此外，它也适用于过流保护电路中的电子保险丝（eFuse）设计，通过外部控制信号快速切断故障电流。
　　在消费类电子产品中，LYCN5M 常用于 LED 驱动电路，作为恒流调节或开关控制元件，实现亮度调节功能。其快速响应特性使其适合 PWM 调光应用。在小型电机驱动方面，该器件可用于微型风扇、振动马达或玩具电机的正反转和启停控制，构成 H 桥或半桥拓扑结构中的开关单元。
　　工业控制领域中，LYCN5M 可用于传感器模块的电源管理，实现按需上电以延长系统续航时间。同时，它也可作为逻辑电平转换器中的主动元件，连接不同电压域的数字信号线。在通信设备中，该 MOSFET 可用于 RJ45 接口的 PoE（Power over Ethernet）前端开关，或作为 USB 接口的限流开关，防止短路损坏主控芯片。
　　由于其 SOT-23 封装便于自动化贴片生产，LYCN5M 被大量用于批量生产的电子产品中。其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围也使其适用于环境条件较为严苛的户外设备或车载电子产品中的辅助电源控制。总的来说，凡是需要小尺寸、低成本、高效能 N 沟道 MOSFET 的场合，LYCN5M 都是一个可靠的选择。

SI2302,DMG2302U,MCH2302,FM2302,AP2302