时间：2025/7/8 17:30:21
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VN808是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用。VN808的封装形式通常为TO-220，这使其能够承受较高的电流和电压负载，同时便于散热管理。
该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率开关的场合。VN808的设计目标是提供卓越的效率和可靠性，同时简化系统设计并降低整体成本。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.035Ω
栅极电荷：47nC
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
VN808的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 热稳定性良好，能够在高温环境下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范。
这些特点使得VN808成为众多功率转换和控制应用的理想选择。
VN808的典型应用场景包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. DC-DC转换器和逆变器的核心元件。
5. 电池充电器和其他便携式设备的功率管理模块。
VN808凭借其高性能和可靠性，非常适合需要高效功率处理的各种电子系统。
VN806, IRFZ44N, FDP17N10
